1. 원고의 청구를 기각한다.

2. 소송비용은 원고가 부담한다.

1. 기초사실

가. 당사자의 지위 원고는 반도체 산업에 사용되는 화학적 기계적 연마(Chemical-Mechanical Polishing, 이하 ‘CMP’라 한다) 슬러리(Slurry)를 공급하는 업체이고, 피고는 반도체 및 TFTI-LCD, PDP 등의 노광 공정에 사용되는 Photoresist 관련 전자재료 사업과 산업용 기초 소재인 발포제 사업을 하면서 텅스텐용 CMP 슬러리도 생산판매하고 있다.

나. 기술 분야 CMP 공정은 주로 64MD램 등 4세대급 이상의 고집적 반도체 제조공정에 사용되는 공정으로 주로 0.35미크론 이하의 초미세 회로에서 적층구조의 표면을 균일하게 형성하기 위하여 화학 또는 기계적 방법을 이용하여 불필요한 박막층을 고효율적으로 연마하여 평평하게 만든다.

이는 웨이퍼(Wafer, 반도체 집적회로를 만드는데 사용되는 기본재료로서 주로 실리콘 등을 성장시켜 얻은 얇은 원형 판)를 연마패드(Polishing Pad, 일정한 패턴과 돌기를 가지고 있는 원판 모양의 재료)의 표면 위에 접촉하도록 한 상태에서 아래 판(Polishing Table)과 연마헤드(Polishing Head)를 상대 운동시켜 기계적으로 웨이퍼 표면의 요철 부분을 평탄화하는 과정을 거치는데, CMP 슬러리는 CMP 헤드와 웨이퍼 사이에 투입되는 액상의 물질로서 웨이퍼 상의 금속층과 화학반응을 일으켜 금속층을 산화부식시키고 산화부식된 금속을 미세한 입자를 이용하여 웨이퍼에서 물리적으로 떼어내는 기능을 한다.

다. 원고의 특허 1) 원고는 CMP 슬러리에 관하여 4)와 같이 특허발명을 출원하여 등록하였다

(이하 ‘이 사건 특허’라 한다). 2) 원고는 2014. 11. 11. 특허심판원(2014정120호)에 이 사건 특허 제23, 27, 28, 29항에 관하여 정정을 신청하여 2015. 3. 30. 그 신청이 인용되었으나, 피고가 2015. 7. 8. 특허심판원(2015당3849호 에 원고를 상대로 위...