피고인을 징역 15년 및 벌금 52,000,000,000원에 처한다.

피고인이 위 벌금을 납입하지 아니하는...

범 죄 사 실

[기초 사실]

1. I의 개요 I 주식회사(이하 ‘I’라 한다)는 2000. 2. 25.경 인천 연수구 J에서 반도체 웨이퍼(Wafer), 태양광발전사업과 그에 필요한 잉곳(Ingot), 웨이퍼(Wafer) 생산 등을 목적으로 설립된 회사이다

태양광 핵심부품인 실리콘 웨이퍼의 제조공정 등은 아래와 같다.

① 실리콘을 함유한 원료인 석영 원석을 세라믹도가니로 된 성장로(Grower)에 대량으로 투입하여 고순도의 ‘폴리실리콘’을 일정 직경의 봉상(棒狀)으로 제조한 잉곳(Ingot, 직경 30cm, 길이 2m 정도의 원통형 주형막대)을 생성하고, ② 그 잉곳을 정사각형 모양의 단면으로 가공한 다음 이를 다시 얇은 두께로 수평절단하면 1차로 웨이퍼(Wafer)가 생성된다.

③ 이 웨이퍼를 수평으로 배열하여 일정 규모의 사각형판을 만들면 이에 부착된 웨이퍼가 태양빛을 흡수, 집진하고 감응하여 이를 웨이퍼 내부의 분자 이동으로 전기적 에너지로 변환하여 태양광 발전기가 완성된다. .

I는 2009. 9. 23.경 코스닥 상장법인인 ‘주식회사 K’(이하 ‘K’라 한다)에 형식상으로 흡수합병된 후, 위 합병법인의 사명(社名)이 ‘I 주식회사’로 변경되는 절차를 거쳐 코스닥 시장에 우회 상장하였다.

그런데 2010년 2월 I에 대하여 정기 외부감사를 수행하던 L회계법인은 분식회계 등의 이유로 I에 대하여 ‘감사의견 거절’을 하였고, 그로 인하여 2010. 3. 24.부터 I의 주권매매거래가 정지되었다.

그 후 I는 2010. 9. 3.경 코스닥 시장에서 상장 폐지되었고, 2012. 9. 4. 서울중앙지방법원으로부터 파산 선고를 받았다.

2. 피고인의 지위 피고인은 2000. 2. 25.경부터 2010. 5. 26.경까지 I의 대표이사를 역임하였고, 1998. 12. 30.경부터 현재까지 인천 연수구 M에 있는 반도체 장비 제조업체인 N 주식회사 이하...