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주문
1. 원고의 항소를 기각한다.
2. 항소비용은 원고가 부담한다.
청구취지 및 항소취지
제1심...
이유
1. 제1심 판결의 인용 이 법원이 이 사건에 관하여 설시할 이유는, 아래 제2항에서 추가하는 부분 및 제3항에서 원고의 당심 주장에 대한 판단을 추가하는 부분 이외에는 제1심 판결문의 이유 기재와 같으므로, 행정소송법 제8조 제2항, 민사소송법 제420조 본문에 의하여 이를 인용한다.
2. 추가하는 부분
가. 제1심 판결문 4쪽 2줄 다음 줄에 아래를 추가하고, 3줄의 “갑 제6호증의 1, 2”다음에 "갑 제24호증"을 추가한다.
「바. 반도체 제조 공정은 크게 웨이퍼(Wafer) 실리콘(Si)을 고순도로 정제하여 기동모양의 잉곳(Ingot)을 만든 후 얇게 잘라서 원판모양으로 만든 것으로 반도체 소자의 기본 재료 가공 공정과 가공된 웨이퍼를 개개의 칩 단위로 조립하는 조립 공정으로 나뉘고, 웨이퍼 가공 공정은 ① 웨이퍼 표면에 실리콘 산화막을 형성하는 확산(Diffusion) 공정, ② 웨이퍼 표면에 회로패턴을 형성하는 포토(Photolithography) 공정, ③ 포토 공정에서 형성된 회로패턴을 완성하기 위해 화학적 반응 등으로 불필요한 부분을 제거하는 식각(Etching) 공정, ④ 웨이퍼 표면에 전도성 또는 절연성 막을 형성하는 박막(thin film)(혹은 증착, Deposition) 공정(화학적 기상 증착과 물리적 기상 증착으로 나뉜다), ⑤ 반도체에 전도성을 부여하기 위해 불순물을 주입하는 이온주입(Ion Implantation) 공정 ⑥ 웨이퍼 가공 과정에서 생성된 웨이퍼 표면의 산화막 등을 화학적, 물리적 방법으로 연마하는 연마(Chemical Mechanical Polishing, CMP 또는 CNC)(혹은 평탄화, Planarization) 공정 등의 세부 공정으로 이루어지는데, 하나의 반도체 소자를 완성하기 위해서는 각 공정을 선택적으로 수십 번 반복하게 된다.」
나. 제1심 판결문 4쪽 16줄의 “비호지킨 림프종” 다음에 " Non Hodgkin's...