1. 원고의 청구를 기각한다.

2. 소송비용은 원고가 부담한다.

1. 기초사실

가. 원고의 이 사건 특허발명 (갑 제3호증) 1) 발명의 명칭 : 반도체 유전체 계면 및 게이트 스택 2) 출원일/ 등록일/ 등록번호 : 2013. 7. 17./ 2015. 6. 26./ 특허 제1533499호 3) 발명의 주요 내용 가) 배경기술 및 해결과제 종래의 실리콘 기판을 보충하거나 교체하기 위해 화합물 반도체를 포함한 신규의 반도체 재료가 조사되고 있다.

이들 대안의 반도체 재료가 종종 우세한 전기적 특성을 갖추고 있긴 하지만, 그 못지않게 그 자체의 난제들을 갖는다.

따라서 보다 까다로운 재료로의 이러한 전환은 새로운 제조 공정의 추진 요인 중의 하나이다.

그리하여 기존의 반도체 제조 공정이 일반적으로 충분하였다 해도 모든 관점에서 완전히 충족스러운 것으로는 증명되지 못하였다

(식별번호 [2]). 나) 발명의 주요 구성 본 개시는 일반적으로 IC 디바이스 제조에 관한 것이고, 보다 상세하게는 감소된 계면 트랩 밀도(interface trap density)를 갖는 반도체/유전체 계면을 형성하는 것에 관한 것이다(식별번호 [6]). 기판(102)의 재료를 포함한 반도체 재료는 통상적으로 박스(206)로 도 2에 예시된 바와 같이 결정 격자 결합 구조를 갖는다. 기판(102)의 표면{예를 들어, 표면(112)}에서,[도 2] 화합물 반도체 재료의 분자모델 구체 표면 박스 결정 격자는 중단되며(interrupted), 그리하여 반도체 재료 내에서 불포화 결합(unsaturated bond)이 된다. 예를 들어, 구체(202A)로 나타낸 원자는 기판의 표면(112)에 놓여 있고 불포화 결합을 갖는다. 이들 불포화 결합은 계면 결함 또는 계면 트랩이라 불릴 수 있다. 이들 결합은 표면 재구성을 통해(표면 토폴로지의 변경 그리고/또는 인접한 재료의 결합을 통해 그들 자체를 분해시킬 수 있다.

그러나 분해되지 않은 불포화 결합은...