1. 원고의 청구를 기각한다.

2. 소송비용은 원고가 부담한다.

1. 기초사실

가. 이 사건 특허발명 (갑 제3호증 및 을 제1호증) (1) 특허발명의 명칭 : 이중 음극 주파수 혼합을 이용한 플라즈마 제어 (2) 출원일/ 우선권주장일/ 등록일/ 특허번호 : 2004. 10. 14./ 2003. 10. 28./ 2012. 2. 6./ 제1115439호 (3) 특허권자 : 피고 (4) 특허청구범위(2014. 2. 24. 자 정정심결에 기한 것으로, 나머지 항들은 삭제되었다) 청구항 내용 청구항 1 이중 주파수 RF 소오스를 사용하여 반도체 기판 공정 챔버 내의 플라즈마 특성들을 제어하는 방법에 있어서(구성 1), 공정 챔버 내에 기판을 지지하는 부분에 배치된 제1 전극에 제1 RF 신호를 공급하고, 상기 제1 전극에 상기 제1 RF 신호보다 고주파수의 제2 RF 신호를 공급하며(구성 2), 상기 공정 챔버의 천장 근처에 배치된 상부 전극인 제2 전극에 상기 제2 RF신호의 주파수와 같거나 더 높은 주파수의 제3 RF 신호를 공급하여 상기 플라즈마를 형성하는 것을 포함하되(구성 3), 상기 제1 및 제2 RF 신호들 사이의 상호작용이 상기 공정 챔버내에 형성된 플라즈마의 적어도 하나의 특성을 제어하기 위해 사용되며(구성 4), 상기 제1 및 제2 RF 신호들 사이의 상호작용은 상기 플라즈마 내 파워 분포에 대한 가변 효과를 제공하고(구성 5), 상기 제1 및 제2 RF 신호들은 상기 제1 및 제2 RF 신호들의 조합된 효과가 평평한 파워 분포를 생성하도록 선택되거나, 상기 제1 및 제2 RF 신호들 사이의 상호작용이 플라즈마 강화 식각 공정의 균일성을 제어하기 위해 사용되는(구성 6) 플라즈마 특성 제어 방법 청구항 2 청구항 1에 있어서, 상기 플라즈마 특성은 적어도 쉬스 변형(sheath modulation)이고, 상기 제1 RF 신호는 넓은 이온 에너지 분포를 제공하고, 상기 제2 RF 신호는 끝이 뾰족한, 잘 정의된 이온 에너지 분포를...