피고인

A을 징역 1년에, 피고인 B을 징역 8월에, 피고인 D을 징역 10월에 각 처한다.

다만,...

범 죄 사 실

피해자 주식회사 H(1995. 3.경 설립되어 2011. 1. 1. 주식회사 I에서 주식회사 H으로 상호 변경, 이하 ‘피해 회사’라 칭함)은 반도체 세정장비 및 도금장비를 개발 생산하는 업체이다.

위 회사에서는 1996.경 반도체의 표면에 있는 이물질을 제거하기 위해 반도체를 전기분해 약품에 침적시킨 후 전류를 흘려보내 반도체의 표면에 수소 가스를 생성시켜 이에 의해 이물질을 일부 제거한 뒤, 다이아몬드 노즐을 이용하여 고압의 물을 분사하여 반도체 표면의 이물질을 마저 제거하는 원리의 ‘전기분해 고압수 세정장비’등 각종 반도체 세정장비(이하 ‘반도체 세정장비’로만 칭함)를 개발제작하여 상용화시켰으며, 2007.경 코스닥에 상장하였고, 세계 반도체 세정장비 시장에서 약 60%의 점유율을 지닌 업체로서, 위 반도체 세정장비의 제작과 관련된 도면 등의 기술자료를 영업비밀로 관리하고 있었다.

피고인

A은 1997. 8. 18.부터 2008. 3. 31.까지 반도체 세정장비 제작업체인 피해 회사에서 성능기술팀장 및 관리부장의 직책을 맡아 반도체 세정장비 설계업무를 담당하였고, 2008. 8. 27. 화성시 BA단지에서 반도체 세정장비 부품 가공업체인 ‘J’을 설립운영하였으며, 2009. 3.경부터는 말레이시아에서 반도체 세정장비 부품 제작업체인 ‘K’를 설립운영하였고, 2011. 9. 22.부터 피고인 C와 함께 반도체 세정장비 설비업체인 ‘E 주식회사’를 설립하여 운영하고 있다.

피고인

C는 1998. 2. 2.부터 2002. 12.경까지 위 피해 회사에서 반도체 세정장비 제어 설계 및 프로그램 개발 업무를 담당하였고, 2004.경부터 자동화 장비 설계와 프로그램 개발을 하는 ‘L’을 설립하여 운영하다가, 2011. 9. 22.부터 피고인 A과 공동으로 위 ‘E 주식회사’를 설립하여...