1. The plaintiff's claim is dismissed.

2. The costs of lawsuit shall be borne by the Plaintiff.

1. Basic facts

가. 원고의 이 사건 특허발명(갑 제2호증) 1) 발명의 명칭: C 2) 출원번호/출원일/제1우선일/제2우선일: D/E/F/G) 3) 특허청구범위 【청구항 23】채널층, 게이트 절연막, 게이트 전극, 소스 전극 및 드레인 전극을 가지는 박막 트랜지스터에 있어서(이하 ‘구성요소 1’이라 한다), 기상성막법으로 성막되는, In, Ga, Zn 및 O의 원소로 구성되는 투명 아몰퍼스 산화물 박막이고, 상기 산화물의 조성은 결정화된 때의 조성이 InGaO3(ZnO)m(m은 6 미만의 자연수)이며(이하 ‘구성요소 2’라 한다), 불순물 이온을 첨가하는 것 없이 전자이동도가 1㎠/(Vㆍ초)를 초과함과 동시에 전자캐리어 농도가 1016/㎤ 이하인 반절연성인 투명 반절연성 아몰퍼스 산화물 박막을(이하 ‘구성요소 3’이라 한다) 채널층으로 한 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터(이하 ‘구성요소 4’라 한다)(이하 ‘이 사건 제23항 발명’이라 하고 나머지 청구항도 같은 방식으로 부르며, 이 사건 제23 내지 26항 발명을 통틀어 ‘이 사건 특허발명’이라고 한다). 【청구항 24】채널층, 게이트 절연막, 게이트 전극, 소스 전극 및 드레인 전극을 가지는 박막 트랜지스터에 있어서, 기상성막법으로 성막되는, In, Ga, Zn, Mg 및 O의 원소로 구성되는 투명 아몰퍼스 산화물 박막이고, 상기 산화물의 조성은 결정화된 때의 조성이 InGaO3(Zn1-xMgxO)m(m은 6 미만의 자연수, 0.80≤x＜0.85)이며, 불순물 이온을 첨가하는 것 없이 전자이동도가 1㎠/(Vㆍ초)를 초과함과 동시에 전자캐리어 농도가 1016/㎤ 이하인 반절연성인 투명 반절연성 아몰퍼스 산화물 박막을 채널층으로 한 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터. 【청구항 25】게이트 절연막으로서 Al2O3, Y2O3, 또는 HfO2중의 1종 또는 그들 화합물을 적어도...