등록무효(특)
1. 특허심판원이 2014. 2. 24. 2013당(취소판결)135호 사건에 관하여 한 심결 중 특허 제804413호의...
... 반금속 및 복수의 상이한 리간드를 포함하는 헤테로렙틱 선구물질을 ALD 방법으로 증착하여 금속 또는 반금속의 산화물, 질화물, 규화물, 황화물 또는 셀렌화물 박막을 제조하는 방법을 제공하기 위한 것이다
(갑 제17호증 칼럼 1 식별번호 [1] 및 [5] 참조). 살피건대, 양 발명은 모두 금속 산화물 선구물질로 유용한 화합물을 ALD 공정으로 증착하여 금속 산화물 박막을 제조하는 방법에 관한 것이라는 점에서 기술분야가 동일하다.
나. 구성의 대비 이 사건 제2항 발명 비교대상발명 15의 대응구성(갑 제17호증) 하기 화학식 1로 표시되는 액상의 지르코늄 산화물 선구물질을 원자층 증착법(ALD) 공정으로 증착하여 고유전율의 지르코늄 산화물 박막을 제조하는 방법. [화학식 1] [상기 화학식 1에서 A는 NR2R3이고, R1은 수소이고, R2 및 R3는 서로 독립적으로 메틸 또는 에틸이다.] * [화학식 1]로 표시되는 화합물은 [CpZr(NEtMe)3], [CpZr(NEt2)3], [CpZr(NMe2)3]의 3종이다.
【청구항 7】 하기를 포함하는, ALD 방법: 증착 기재를 제공하고 상기 기재를 금속 또는 반금속 및 복수 개의 상이한 리간드들을 함유하는 제1 선구물질에 노출시키는 것으로서, 상기 제1 선구물질의 표면 반응성 리간드는 상기 제1 선구물질의 기체 반응성 리간드에 의해 나타내는 화학흡착 친화력을 초과하는, 상기 기재에 대한 화학흡착 친화력을 나타내는 것이며; 상기 제1 선구물질을 사용하여 상기 기재상에 선구물질 단일층을 화학흡착하는 것으로서, 상기 기체 반응성 리간드는 상기 표면 반응성 리간드에 의해 나타내는 열적 안정성을 초과하는 열적 안정성을 나타내고, 상기 기체 반응성 리간드가 상기 화합흡착 이후에 상기 선구물질 단일층의 기체 반응성 리간드로서 잔류하며; 및...