일본

대표자

2. 신덴겐 센서 데바이스 가부시키가이샤

( 新電元 - 지 株式會社 )

일본

대표자 .

3. 신덴겐코교 가부시키가이샤 ( 新電元工業株式會社 )

일본

대표자

원고들 소송대리인 특허법인 원전 담당변리사 정용철

소송수행자 정준모

2. 소송비용은 원고들이 부담한다 .

[ 인정근거 : 다툼 없는 사실, 갑 제1, 2호증, 을 제1호증 ( 각 가지번호 포함 ) ] 원고들은 2003. 4. 17. ( 우선권 주장일 : 2002. 4. 23. ) 출원번호 제2003 - 24268호로 명칭을 “ X선 검출기 ” 로 하는 발명을 특허출원하였다가 2004. 11. 11. 특허청으로부터 그 청구항 1., 2., 11., 12. 에 대하여 그 출원 전에 이 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자 ( 이하 ' 통상의 기술자 ' 라 한다 ) 가 별지 2. 항 기재의 비교대상발명 등으로부터 용이하게 발명할 수 있어 진보성이 부정된다는 취지의 의견제출통지를 받고 , 2005. 1. 11. 별지 1. 항 기재의 이 사건 출원발명 ( 이하 그 청구범위 중 청구항 1. 을 ' 이 사건 제1항 발명 ' 이라 한다 ) 과 같이 명세서를 보정하였으나 2005. 6. 27. 위 거절이유를 해소하지 못하였다는 이유로 거절결정을 받자, 2005. 7. 27. 이에 불복하여 특허거절결정에 대한 불복심판을 청구하였다 .

이 사건 출원발명은 의료분야 등에서 사용되는 X선 검출기에 관한 것으로, X선 입사시 광전도 효과 ( 전자와 정공이 생성되어 전하를 전달하는 캐리어 역할을 함으로써 전류가 흐르게 됨 ) 가 발생하는 반도체 부분을 형성하는 아모르퍼스 셀렌 [ Armorphous Selenium, 분자 배열에 규칙성이 없는 비정질 ( 非品質 ) 상태의 셀렌 ( 원소기호 : Se ) 으로 , 이하 ' a - Se ' 이라 한다 ] 의 구조결함을 보완하기 위하여 전자를 방출하는 경향이 큰 알칼리 금속을 a - Se에 소정의 양만큼 도핑하는 것을 특징으로 하는바, 특허심판원은 이 사건 제1항 발명이 위 거절결정 이유와 같이 진보성이 부정된다는 이유로 원고들의 청구를 기각하는 청구취지 기재의 이 사건 심결을 하였다 .

2. 이 사건 제1항 발명의 진보성 여부

[ 인정근거 : 갑 제1, 2, 3호증, 을 제1, 2호증 ( 각 가지번호 포함 ), 경험칙, 변론 전체의 취지 ]

가. 기술분야 및 목적 대비

이 사건 제1항 발명은 a - Se막의 광전도 효과를 이용하는 X선 검출기에 관한 것으로, 알칼리 금속에서 방출되는 전자가 a - Se막의 구조결함에 포획되어 구조결함을 보상하게 함으로써 더욱 많은 캐리어가 전극에 도달하여 X선 검출 감도를 높일 수 있도록 하는 것을 목적으로 한다 .

비교대상발명은 a - Se막의 광전도 효과를 이용하는 X선 검출기에 관한 것으로, 전극과 a - Se막 사이에 형성된 셀렌 버퍼층에 알칼리 금속을 도핑함으로써 전극으로부터의 정공이 a - Se막에 유입되어 a - Se막 내의 공간 전하량이 변하여 영상 품질이 떨어지는 것을 방지하는 것을 목적으로 한다 .

따라서 양 발명은 그 기술분야가 같고, 구체적인 목적에는 일부 차이가 있지만, 전극과 기판 사이의 광전도층에 알칼리 금속을 도핑함으로써 X선 검출기의 감도를 향상시킨다는 포괄적인 목적에는 공통점이 있다 .

나. 구성 및 효과 대비 ( 1 ) 이 사건 제1항 발명은 별지 1. 항 기재와 같이 3개의 구성요소로 이루어져 있다 .

먼저, 구성요소 1, 2는 순차로 비교대상발명의 ' 광전도성 레이어 ( 18 ) ' 의 구성, ' 바이어스 전극 ( 14 ) ' 의 구성에 각각 대응하는바, 그 각 대응하는 구성들은 동일한 작용효과를 나타내는 실질적으로 동일한 구성들이다 ( 이에 대한 당사자 사이의 다툼도 없다 ) . ( 2 ) 구성요소 3은 비교대상발명의 도핑된 a - Se으로 만들어지는 광전도성 레이어 ( 18 ) ’와 ‘ 광전도성 레이어와 전극 사이에 알칼리 도핑된 셀렌으로 만들어진 유니폴라 도전 버퍼층 ( 22 ) ’ 의 구성들에 대응하는바 [ 이 사건 제1항 발명은 반도체 상 · 하부에 캐리어 선택층이 형성되어 있는 일부 종속항들과는 달리, ‘ 전극들 사이에서 X선 입사에 의하여 전하가 발생하는 부분 전체 ’ 를 “ 반도체 ” 라고 하고 있으므로, 비교대상발명의 위 광전도성 레이어 ( 18 ) 와 유니폴라 도전 버퍼층 ( 22 ) 모두가 이에 대응한다 ], 위 구성들은 모두 전극과 기판 사이의 광전도층에 전자 방출 경향이 강한 알칼리 금속을 도핑함으로써 방출된 전자가 구조결함 부분이나 정공과 결합하게 하는 작용기전에 따라 X선 검출 감도를 향상시킨다는 점에서 동일한 기술사상을 사용하고 있다 .

다만, 비교대상발명이 광전도성 레이어 ( 18 ) 의 공간 전하량의 안정성에 착안하여 정공 유입을 차단하고자 광전도성 레이어 ( 18 ) 의 상부 부분에 위 기술사상을 사용함에 비하여, 이 사건 제1항 발명은 a - Se으로 형성된 반도체의 구조결함에 착안하여 구조결함 부분이 캐리어의 함정으로 작용하는 것을 막고자 반도체 전부에 위 기술사상을 사용함으로써 그 구체적인 과제설정을 달리하고 있다 .

그러나 이 사건 출원발명의 종래기술 부분의 “ a - Se막은 구조결함을 많이 포함한다 . 그래서 성능을 개선하기 위해 적정량의 불순물을 첨가 ( 도핑 ) 하는 것이 일반적으로 행해지고 있다 ” ( 갑 제2호증의 1의 2면 아래 7, 8행 ) 는 기재나, 비교대상발명의 “ ( 주로 비소 또는 염소가 ) 도핑된 a - Se으로 만들어지는 광전도성 레이어 ( 18 ) ” 라는 기재 및 당초 비정질인 a - Se은 구조결함이 많이 포함되어 있을 수밖에 없다는 점 ( 다만 경제적인 비용으로 큰 사이즈의 고저항 후막을 얻을 수 있기 때문에 사용된다 ) 등을 고려하여 보면, a - Se에 불순물을 도핑함으로써 그 구조결함을 개선한다는 기술사상은 이 사건 제1 항 발명의 출원 전에 널리 알려져 있었던 것으로 보인다 .

따라서 위와 같은 기술 배경 아래서의 통상의 기술자라면, 광전도체로 사용될 수 있는 부분 [ 위 유니폴라 도전 버퍼층 ( 22 ) 도 이에 해당한다 ] 에 알칼리 금속을 도핑함으로써 캐리어에 영향을 미치는 작용기전이 개시된 비교대상발명의 위 대응구성으로부터 이 사건 제1항 발명의 구체적인 과제설정이나 그 해결수단인 구성요소 3을 용이하게 도출할 수 있다고 할 것이다 .

( 3 ) 위와 같이 이 사건 제1항 발명은 비교대상발명에 의하여 공지된 구성요소들과 그로부터 쉽게 도출할 수 있는 구성요소를 단순 결합하고 있고, 그 효과 또한 위 구성요소들의 결합에 따라 일반적으로 예측되는 효과 정도를 나타내고 있을 뿐이라고 보인다 .

다. 소결

따라서 이 사건 제1항 발명은 통상의 기술자가 비교대상발명으로부터 용이하게 발명할 수 있어 진보성이 부정되므로 특허등록을 받을 수 없는 것이다 .

3. 결론

그렇다면, 이 사건 제1항 발명에 특허거절의 사유가 있는 이상 이 사건 출원발명 전부에 대하여 특허등록이 거절되어야 하고, 이와 결론이 같은 이 사건 심결은 적법하다 .

고 할 것이므로, 그 취소를 구하는 원고들의 이 사건 청구는 이유 없어 이를 기각하기로 하여 주문과 같이 판결한다 .

판사 오충진

판사 김태현. .. .

1. 이 사건 출원발명 ( 갑 제2호증의 1, 2 )

가. 청구범위

청구항 1. X선을 검출하는 X선 검출기에 있어서, 상기 X선 검출기는, X선 입사

에 의해 내부에 전하를 발생하는 반도체 ( 이하 ‘ 구성요소 1 ' 이라 한다 ) 및 ; 소정의 바이

어스 전압이 인가되는, 상기 반도체의 양측에 형성된 전극을 포함하고 ( 이하 ‘ 구성요소

2 ’ 라 한다 ), 상기 반도체는, 알칼리 금속이 소정의 양만큼 도핑된 아모르퍼스 · 셀렌

( a - Se ) 인 것 ( 이하 구성요소 3 ' 이라 한다 ) 을 특징으로 하는 X선 검출기 .

청구항 2. 내지 12. 기재 생략

※ 구성요소 1, 2, 3을 표시한 부분은 판결 작성의 편의상 기재한 것임 .

나. 주요 도면

도1 ( X선 검출기의 개략 단면도 ) 도3 ( X선 검출기의 작용 설명도 )

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도2 ( X선 검출기의 내부 구조 설명도 )

/> /> 않음

형성

/> /> /> /> /> D /> /> D 의 형성

알카리 금속이 도핑된 알카리 금속이 도핑되지않은

아모르퍼스 · 셀렌 아모르퍼스 · 셀렌

2. 비교대상발명 ( 갑 제3호증 )

1998. 3. 4. 자 유럽 공개특허공보 제826983호에 게재된 “ X - 선 영상 다층판 및 그

제조 방법 ” 이라는 명칭의 발명이다 .

가. 주요 내용

a - Se에 발생하는 광전도 현상을 이용하여 X선을 검출하는 X선 영상 다층판에 관

한 것인바, ' 도핑된 a - Se으로 만들어지는 광전도성 레이어 ( 18 ) 가 기판 ( 12 ) 에 형성되고 ,

광전도층 상단에 바이어스 전극 ( 14 ) 이 연결되며, 광전도성 레이어와 전극 사이에 알칼

리 도핑된 셀렌으로 만들어진 유니폴라 도전 버퍼층 ( 22 ) 이, 그리고 레이어와 기판 사이

에 아모르퍼스 셀렌화 비소 ( a - As2Sea ) 로 만들어진 인터스티셜 버퍼층 ( 20 ) 이 각각 형성

된다. .. . 정공이 전극으로부터 레이어에 유입되면 레이어 내의 전하 밀도에 영향을 미

치게 되어 X선 영상 이미지의 품질을 저하시킬 수 있는데, 유니폴라 도전 버퍼층에 도

핑된 알칼리 금속에서 방출된 자유전자가 정공을 포획하게 되면 그 이동 거리가 짧아

져 레이어까지 미치지 못하게 된다 ' 는 내용이 기재되어 있다 .

나. 주요 도면

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( 是 )