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(영문) 서울동부지방법원 2013.02.07 2010고합43

부정경쟁방지및영업비밀보호에관한법률위반

주문

【 유죄 부분 】

1. 피고인 J, R를 각 징역 1년에, 피고인 N, Q을 각 징역 10월에 처한다.

2. 피고인...

이유

범 죄 사 실

【 2010고합43 】 누구든지 부정한 이익을 얻거나 기업에 손해를 입힐 목적으로 그 기업에 유용한 영업비밀을 취득, 사용하거나 제3자에게 누설하여서는 아니 된다.

피고인

R는 AM 주식회사(이하 ‘AM’라 한다) 기흥공장 시스템 LSI 사업부 과장으로 근무하고 있다.

피고인

R는 AM에 입사하면서 재직 중 지득한 영업비밀 자료는 회사의 재산이므로 외부에 누설하지 않는다는 취지의 서약서를 작성, 제출하였기 때문에 영업비밀 자료를 외부에 누설할 경우 AM에 큰 손해를 입힌다는 사실을 알고 있었다.

DRAM 메모리 반도체의 일종으로 대용량의 정보를 읽고 쓸 수 있는 장치, 대용량의 정보를 일시적으로 기억시키기 때문에 컴퓨터의 Main Memory로 주로 사용됨. 이하 범죄사실 및 공소사실 중 자료 및 용어에 관한 각주의 설명은 공소장에 기재된 내용을 따른 것이다.

및 FLASH 메모리 반도체의 일종으로 전원이 꺼져도 기억된 정보가 없어지지 않는 비휘발성 메모리를 지칭함 MEMORY 반도체와 SYSTEM LSI 비메모리 공정 반도체 관련 자료는 AM의 핵심적인 영업비밀인바, 그 중 ‘CVD공정Master_060213.xls’는 SYSTEM LSI 반도체 130nm(나노) 제품의 전체 공정 중 CVD 공정 Chemical Vaporized Deposition의 약어, 화학적 기상성장법이라고 말하는데 반도체 기판 상에 화학반응을 이용하여 실리콘(Si, 규소) 등의 박막을 형성시키는 공정으로 반도체 제조공정 중 핵심공정의 하나임 과 공정의 타겟 값이 정리되어 있는 자료인데 제품의 공정 순서가 기재되어 있기 때문에 위 내용이 경쟁사 등에 유출되었을 경우 제품의 수율 공정에 투입된 원재료가 감소되는 일 없이 완성품으로 되는 비율, 양품만을 생산량으로 하기 때문에 대표적인 생산, 품질 지표로

봄. 일반적으로...