2. 소송비용은 원고가 부담한다.

가. 원고의 특허출원 원고는 2013. 12. 11. ‘반도체 에피택셜 웨이퍼의 결정체 층 위에 같은 결정체 층을 성장시키는 공정을 의미한다. 웨이퍼의 제조 방법, 반도체 에피택셜 웨이퍼, 및 고체 촬상 소자의 제조 방법’이라는 발명의 명칭으로 출원번호 제10-2013-7032894호 특허를 출원(국제출원일은 2012. 3. 19.이고, 조약우선권주장일은 2011. 5. 13.이다)하였다

(이하 ‘이 사건 출원발명’이라 한다). 나.

이 사건 출원발명에 대한 심사 및 심결의 경위 (1) 특허청 심사관은 2015. 4. 7. 원고에게, “이 사건 출원발명의 청구항 1 내지 17에 기재된 발명(이하 청구항 1에 기재된 발명은 ‘이 사건 제1항 발명’이라 하고, 나머지 청구항도 같은 방식으로 부른다)은 선행발명 1, 2의 결합에 의해 그 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 사람(이하 ‘통상의 기술자’라 한다)이 쉽게 발명할 수 있어 특허법 제29조 제2항에 따라 진보성이 부정된다”는 거절이유를 통지하였다.

(2) 원고는 2015. 6. 8. 이 사건 제1, 5, 7, 14, 15, 17항 발명에 관한 보정서 및 의견서를 제출하였으나, 특허청 심사관은 2015. 8. 1. “이 사건 제1 내지 17항 발명은 선행발명 1, 2의 결합에 의하여 진보성이 부정된다”는 이유로 거절결정을 하였다.

(3) 원고는 2015. 10. 30. 특허심판원에 위 거절결정의 취소를 구하는 거절결정불복심판을 청구하였으나, 특허심판원은 이를 2015원6470호로 심리한 후 2016. 2. 22. “이 사건 제1항 발명은 선행발명 1, 2의 결합에 의하여 진보성이 부정되고, 특허출원에 있어서 청구범위가 둘 이상의 청구항으로 이루어진 경우에는 어느 하나의 청구항이라도 거절이유가 있으면 그 출원은 전부가 거절되어야 한다”는 이유로 원고의 위 심판청구를...

참조조문