2. 소송비용은 원고가 부담한다.

가. 이 사건 출원발명 1) 명칭: 화학적 산화물 제거 처리 시스템 및 방법 2) 출원일/ 국제출원일/ 우선권주장일/ 출원번호: 2012. 6. 20./ 2004. 11. 9./ 2003. 12. 17./ 제10-2012-7016038호 3) 출원인: 원고 4) 청구범위(2013. 6. 19. 보정된 것, 을 제3호증) 【청구항 1】 기판으로부터 재료를 제거하는 처리 시스템으로서, 상기 기판상의 노출 표면층을 화학적으로 변화시키기 위하여, 온도 제어식 화학 처리 챔버, 상기 화학 처리 챔버 내에 장착된 온도 제어식 기판 홀더, 상기 화학 처리 챔버에 연결된 진공 펌핑 시스템, 하나 이상의 프로세스 가스를 상기 화학 처리 챔버 안으로 도입시키도록 구성되고, 상기 화학 처리 챔버 내의 상기 하나 이상의 프로세스 가스에 노출되는 온도 제어 부분을 갖는 가스 분배 시스템, 상기 온도 제어식 화학 처리 챔버에 연결되는 벽의 온도 제어 요소(wall temperature control element)에 연결되고, 화학 처리 챔버의 온도를 30℃ 내지 100℃의 범위로 제어하도록 구성되는 벽의 온도 제어 유닛(wall temperature control unit), 상기 온도 제어 부분에 연결되는 온도 제어요

소(temperature control element)에 연결되고, 가스 분배 시스템의 온도를 40℃ 내지 100℃의 범위로 제어하도록 구성되는 가스 분배 시스템의 온도 제어 유닛을 포함하는 화학 처리 시스템; 온도 제어식 열처리 챔버, 상기 열처리 챔버 내에 장착된 온도 제어식 기판 홀더, 및 상기 열처리 챔버에 연결되는 진공 펌핑 시스템을 포함하고, 상기 기판 상의 화학적으로 변화된 표면층을 열처리하는 열처리 시스템; 및 상기 열처리 시스템 및 상기 화학 처리 시스템 사이에 배치된 분리 조립체;를 포함하는 처리 시스템 이하 ‘이 사건 제1항 발명’이라 하고, 나머지 청구항도 같은...