2. 소송비용은 원고가 부담한다.

가. 이 사건 출원발명 1) 발명의 명칭 : B ‘유기금속화학기상증착’을 의미하는 ‘metal organic chemical vapor deposition’의 약자이다. MOCVD란 가스 상태의 원하는 원료를 고온에서 화학반응을 통해 박막 형태로 성장시키는 방법으로 Ⅲ족의 MO가스와 V족의 hydride가스를 고온에 반응시켜 Ⅲ-Ⅴ고체 상태의 화합물 반도체를 성장시킨다. 2) 출원일/ 출원번호 : C/ D 3) 청구범위(2016. 3. 21. 보정된 것, 을 제5호증) 【청구항 1】투명한 사파이어 기판(이하 ‘구성요소 1’이라 한다

); 상기 사파이어 기판의 표면에 위치하는 두께 10-100 nm의 GaAs 버퍼층(이하 ‘구성요소 2’라 한다

), 및 상기 버퍼층의 상면에 위치하는 AlxGa1-xAs (0.05

)(이하="" 4’라="" ‘구성요소="" 기판(이하="" 투명="" 한다)으로="" 3'이라="" 최상부층(이하="">